Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Lexar
SamsungA-DataAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTerraMasterThermaltakeTranscendТМИ
188.56 BYN.
188.56 BYN.
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
0 BYN.
0 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
101.53 BYN.
101.53 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
360.45 BYN.
360.45 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
0 BYN.
0 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
90.61 BYN.
90.61 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
0 BYN.
0 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
0 BYN.
0 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
307.30 BYN.
307.30 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
157.02 BYN.
157.02 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
0 BYN.
0 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В